Browse
Recent Submissions
Now showing 1 - 5 of 15
- ItemNávrh stínicí stěny pro elektromagnetickou odolnostJerie, Aleš; Slavík Lubomír, Ing. Ph.D. : 55629Tato práce obsahuje problematiku testování elektromagnetické kompatibility. Konkrétně se jedná o testování elektromagnetické odolnosti proti vyzařovanému vysokofrekvenčnímu elektromagnetickému poli. Součástí práce je i teoretický rozbor šíření elektromagnetického záření a teorie bezodrazových komor včetně materiálů pohlcujících elektromagnetické záření. Jsou popsány dále použité konkrétní absorbéry. Pro splnění požadavků normy ČSN-EN-61000-4-3 bylo navrhnuto a vytvořeno měřicí pracoviště. Pro návrh a optimalizaci měřicího pracoviště posloužily simulace v programu Comsol Multiphysics. Tyto simulace byly následně porovnány s reálnými měřeními. Měření i simulace proběhly s bikonickou i logaritmicko periodickou anténou ve vertikální i horizontální polarizaci. Výsledné konfigurace se liší v umístění antény
- ItemPokročilá kalibrace a charakterizace Shack-Hartmannova senzoruDušek, Martin; Lédl Vít, Ing. Ph.D. : 55721Práce se zabývá vývojem softwaru a kalibračního postupu pro Shack-Hartmannův senzor. Implementované algoritmy jsou porovnány pomocí simulací a také srovnány s rekonstrukcemi certifikovaného komerčního senzoru. V práci jsou ukázány výsledky použití softwaru v automatické justaci optického systému s několika komponenty a déle výsledky rekonstrukce vlnoplochy Strukturovaného svazku.
- ItemAplikace pevnostních kritérií pro dlouhovlákenné kompozitní materiály na případu letecké vzpěryVomáčko, Václav; Šidlof Petr, doc. Ing. Ph.D. : 58116; Kolář Jan, Ing. Ph.D. Konzultant2 : 67386Cílem práce je ověřit funkčnost letecké vzpěry z uhlíkového laminátu. Tento cíl je naplňován v několika krocích. První část práce se věnuje teorii dlouhovlákenných kompozitních materiálů se zaměřením na jejich pevnostní kritéria. Jsou provedeny zkoušky tahem, tlakem a ohybem pro tři typy skladby laminátu. Je vytvořena simulace ohybové zkoušky, která je na základě naměřených dat validována a jsou porovnány indexy porušení pevnostních kritérií. V další části je popsána výroba modelu křídla, které je použito ve dvou typech reálných testů, jimž předchází konečněprvková simulace. Mechanismy porušení a odhady zatížení, při kterém dojde k porušení, byly v simulacích dobře predikovány a funkčnost vzpěry byla ověřena.
- ItemRůst InGaN/GaN scintilačních heterostrukturHubáček, Tomáš; ; Hulicius Eduard, prof. Ing. CSc. Skolitel : 58413Zařízení na bázi nitridových polovodičů jsou součástí našeho každodenního života. Rozšířená a používaná jsou například v modrých světlo emitujících diodách. Tato práce zkoumá novou možnost využití nitridových polovodičů, kterou je scintilační detektor. Detektor je tvořen heterostrukturami na bázi InGaN/GaN mnohonásobných kvantových jam a vyžaduje velice účinnou a rychlou luminiscenční odezvu bez pomalých defektních pásů v luminiscenčních spektrech. Pro růst těchto struktur jsme použili organokovovou epitaxi z plynné fáze. Pomocí různých růstových parametrů jsme zlepšili luminiscenční vlastnosti GaN podkladových vrstev, kde jsme potlačili pomalou defektní žlutou luminiscenci. Zvýšením počtu kvantových jam bylo dosaženo tloušťky InGaN/GaN heterostruktury téměř 1 ?m. Takto tlustá struktura je nezbytná pro účinný scintilační detektor, avšak vzhledem k této tloušťce jsme narazili na mnoho problémů, jakými jsou například zvýšení napětí ve struktuře nebo příliš velké povrchové defekty (nazývané V-pity). Diskuze těchto problémů je také součástí práce. Disertační práce klade důraz na epitaxní růst scintilačních struktur. Na základě poznatků získaných v průběhu zkoumání nitridových scintilačních heterostruktur se zdá, že naše navrhovaná struktura je vhodná jako scintilační detektor a mohla by být v blízké budoucnosti použita v některých komerčních aplikacích.
- ItemMolybdenum disulfide and molecular thin films integration into devices for molecular electronics and spintronicsSvětlík, Josef; Řezanka Michal, RNDr. Ph.D. : 62971; Galbiati Marta, Ph.D. Konzultant2 : 66446Klasické zařízení, využívající Si, téměř dosahují svých fyzikálních limit a alternativy založené na zcela nových materiálech a principech jsou zkoumány a pomalu přecházejí z laboratoří do průmyslu. Příkladem těchto nových materiálů, které se zdají býti slibné pro jejich budoucí využití v polovodičovém průmyslu, jsou dvou-dimenzionální (2D) materiály a funkční molekuly díky jejich malým rozměrům, levnosti a nevšedním vlastnostem.Tato diplomová práce se zaměřuje na integrační techniky 2D materiálů a molekulárních tenkých vrstev do zařízení a na studium jejich vlastností. Nejdříve je využit sulfid molybdeničitý (MoS2) k přípravě tranzistoru a následně funkcionalizován spin-crossover (SCO) nanočásticemi (NPs). Vliv SCO NPs na elektronické vlastnosti MoS2 skrze spínání mezi dvěma odlišnými stavy s využitím vnějšího stimulu je zkoumán. Dále je vyvíjena integrační metoda 2D materiálů do magnetického tunelovacího spoje (MTJ) pro spintronické aplikace. Výhody a nevýhody zvolené metody jsou diskutovány. Nakonce je vyšetřována možnost integrace tenkých molekulárních vrstev do vertikálních zařízení přímo skrze jejich napařování s pomocí stínící masky.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »