dc.contributor	Torres Rafael, Dr. : 66548
dc.contributor.advisor	Řezanka Michal, RNDr. Ph.D. : 62971
dc.contributor.author	Světlík, Josef
dc.contributor.other	Galbiati Marta, Ph.D. Konzultant2 : 66446
dc.date.accessioned	2019-08-23T08:25:28Z
dc.date.available	2019-08-23T08:25:28Z
dc.date.committed	2019-4-30
dc.date.defense	2019-05-30
dc.date.issued	2018-10-10
dc.date.submitted	2018-10-10
dc.date.updated	2019-5-30
dc.degree.level	Ing.
dc.description.abstract	Klasické zařízení, využívající Si, téměř dosahují svých fyzikálních limit a alternativy založené na zcela nových materiálech a principech jsou zkoumány a pomalu přecházejí z laboratoří do průmyslu. Příkladem těchto nových materiálů, které se zdají býti slibné pro jejich budoucí využití v polovodičovém průmyslu, jsou dvou-dimenzionální (2D) materiály a funkční molekuly díky jejich malým rozměrům, levnosti a nevšedním vlastnostem.Tato diplomová práce se zaměřuje na integrační techniky 2D materiálů a molekulárních tenkých vrstev do zařízení a na studium jejich vlastností. Nejdříve je využit sulfid molybdeničitý (MoS2) k přípravě tranzistoru a následně funkcionalizován spin-crossover (SCO) nanočásticemi (NPs). Vliv SCO NPs na elektronické vlastnosti MoS2 skrze spínání mezi dvěma odlišnými stavy s využitím vnějšího stimulu je zkoumán. Dále je vyvíjena integrační metoda 2D materiálů do magnetického tunelovacího spoje (MTJ) pro spintronické aplikace. Výhody a nevýhody zvolené metody jsou diskutovány. Nakonce je vyšetřována možnost integrace tenkých molekulárních vrstev do vertikálních zařízení přímo skrze jejich napařování s pomocí stínící masky.	cs
dc.description.abstract	Classical devices employing Si are almost reaching their physical limits and alternatives, based on entirely new materials and principles, are being investigated and slowly penetrate from laboratory to industry. Examples of such new materials, which appear promising to be once used in the semiconducting industry, are two-dimensional (2D) materials and functional molecules due to their small dimensionality, low price, and unique functionalities.This master thesis focuses on techniques to integrate 2D materials and molecular thin films into devices and study their properties. First, a molybdenum disulfide (MoS2)-based field-effect transistor (FET) was fabricated and functionalized with spin-crossover (SCO) nanoparticles (NPs). Effect of SCO NPs on MoS2 electronic properties by switching between two distinct states using an external stimulus was investigated. Second, an integration method of 2D materials into a magnetic tunnel junction (MTJ) was being developed for spintronic applications. Benefits and drawbacks of the chosen method are discussed. Finally, the possibility to integrate thin SCO molecular films into vertical spin-valves directly through their evaporation using a shadow mask was investigated.	en
dc.description.mark
dc.format	55 s. (71 913 znaků)
dc.format.extent	Ilustrace, Schémata, Grafy, Tabulky 1 ROM
dc.identifier.signature	V 201900940
dc.identifier.uri	https://dspace.tul.cz/handle/15240/153283
dc.language.iso	cs
dc.relation.isbasedon	beginarab item Q. H. Wang, Nat. Nanotechnol., 7, 683, 2012. item S. Z. Butler et al., ACS Nano, 7, 4, 2898, 2013. item C. Felser et al. Angew. Chemie, 46, 668-699, 2007. item M. Piquemal-Banci, J. Phys. D. Appl. Phys., 50, 203002, 16, 2017. item H. Li et al., ACS Nano, 7, 11, 10344-10353, 2013. item H. Li et al., Adv. Funct. Mater., 22, 1385-1390, 2012. endarab
dc.rights	Vysokoškolská závěrečná práce je autorské dílo chráněné dle zákona č. 121/2000 Sb., autorský zákon, ve znění pozdějších předpisů. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou https://knihovna.tul.cz/document/26	cs
dc.rights	A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act. https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics https://knihovna.tul.cz/document/26	en
dc.rights.uri	https://knihovna.tul.cz/document/26
dc.rights.uri	https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf
dc.subject	2D materiály	cs
dc.subject	sulfid molybdeničitý	cs
dc.subject	spin-crossover molekuly	cs
dc.subject	spin-crossover nanočástice	cs
dc.subject	elektronika	cs
dc.subject	spintronika	cs
dc.subject	2D materials	en
dc.subject	molybdenum disulfide	en
dc.subject	spin-crossover molecules	en
dc.subject	spin-crossover nanoparticles	en
dc.subject	electronics	en
dc.subject	spintronics	en
dc.subject.verbis	materials properties	en
dc.subject.verbis	nanotechnology	en
dc.subject.verbis	nanostructure materials	en
dc.subject.verbis	vlastnosti materiálů	cs
dc.subject.verbis	nanomateriály	cs
dc.subject.verbis	nanotechnologie	cs
dc.title	Molybdenum disulfide and molecular thin films integration into devices for molecular electronics and spintronics	en
dc.title.alternative	Integrace sulfidu molybdeničitého a molekulárních tenkých vrstev v zařízeních pro molekulární elektroniku a spintroniku	cs
dc.type	diplomová práce	cs
local.degree.abbreviation	Navazující
local.degree.discipline	NA-N
local.degree.programme	Nanotechnologie
local.degree.programmeabbreviation	N3942
local.department.abbreviation	KCH
local.faculty	Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií	cs
local.faculty.abbreviation	FM
local.identifier.author	M16000165
local.identifier.stag	37218
local.identifier.verbis	kpw06582610
local.note.administrators	automat
local.poradovecislo	940
local.verbis.aktualizace	2019-10-05 07:27:58	cs
local.verbis.studijniprogram	KCH Nanotechnologie/Nanomateriály	cs

Molybdenum disulfide and molecular thin films integration into devices for molecular electronics and spintronics

Title Alternative:Integrace sulfidu molybdeničitého a molekulárních tenkých vrstev v zařízeních pro molekulární elektroniku a spintroniku

Files

Original bundle

Collections