dc.contributor	Márton Pavel, Ing. Ph.D.
dc.contributor.advisor	Hulicius Eduard, prof. Ing. CSc.
dc.contributor.author	Hubáček, Tomáš
dc.contributor.other	Skolitel : 55316 Simová Jozefína, doc. Ing. Ph.D.
dc.contributor.other	Konzultant : 57493 Brandová Blanka, Ing. Ph.D.
dc.contributor.other	Konzultant2 : 64322 Hospodková Alice, Ing. Ph.D.
dc.date	2015
dc.date.accessioned	2018-05-03
dc.date.available	2018-05-03
dc.date.committed	2015-05-15
dc.date.defense	2015-06-16
dc.date.submitted	2014-10-14
dc.date.updated	24.6.2016 17:13
dc.degree.level	Ing.
dc.description.abstract	Tato diplomová práce je součástí velkého projektu a zabývá se studiem nitridových nano-heterostruktur pro využití v rychlých a účinných scintilátorech. Jedná se o strukturu mnohonásobných InGaN/GaN kvantových jam. Úvodní část práce je věnována popisu scintilačního mechanismu, polovodičových scintilátorů a popisu metody MOVPE. V experimentální části byla měřena rtg difrakce, fotoluminiscence, radioluminiscence, luminiscenční dosvit a radioluminiscenční homogenita vzorků. Měření probíhalo na dvou typech struktur, protože postupně docházelo k optimalizaci struktury. Měření homogenity ukázalo intenzivnější oblasti na okrajích vzorků. Měření rtg difrakce určilo přesný počet a tloušťku kvantových jam v aktivní oblasti. Při měření radioluminiscence a fotoluminiscence se objevil nežádoucí žlutý pás ve spektru. Nejdůležitější měření luminiscenčního dosvitu ukázalo, že zkoumaná heterostruktura je výrazně rychlejší než scintilační materiály (BGO, YAG:Ce, ), které se využívají například v elektronových mikroskopech. Všechny výsledky provedených měření budou použity k další optimalizaci struktury a v dalším průběhu projektu se budeme snažit připravit strukturu pro reálné aplikace.	cs
dc.description.abstract	This diploma thesis is a part of a big project and the aim is the study of the nitride nano-heterostructure for using in fast and efficient scintillators. The subject of the study is a structure of multiple InGaN/GaN quantum wells. The first part of the thesis includes the description of scintillation mechanism, semiconductor scintillators and MOVPE method. In the experimental part the x-ray diffraction, photoluminescence, radioluminescence, luminescent decay time and radioluminescence homogeneity of the samples was measured. The measurements were performed on the two types of structure because the structure was being optimized during the process. The measurement of homogeneity showed more intensive areas on the edges of the samples. The measurement of x-ray diffraction determined exact number and thickness of quantum wells in the active region. During the measurements of radioluminescence and photoluminescence an undesirable yellow band appeared in the spectrum. The most important measurement of decay time showed that the heterostructure is noticeably faster than the scintillation materials (BGO, YAG:Ce, ) that are used nowadays in the electron microscopes. All results will be used in the next optimization of the structure. In the next step of the project we will try to prepare the structure for real applications.	en
dc.description.mark
dc.format	93 s.
dc.format.extent	Ilustrace, Tabulky žádné, Tabulky 1 ROM, Schémata, Grafy, Tabulky ROM
dc.identifier.uri	https://dspace.tul.cz/handle/15240/25254
dc.language.iso	cs
dc.relation.isbasedon	beginarab item JAIN, S. C., M. WILLANDER, J. NARAYAN a R. Van OVERSTRAETEN. IIInitrides: Growth, characterization, and properties. Journal of Applied Physics. 2000, vol. 87, issue 3, s. 965-. DOI: 10.1063/1.371971. Dostupné z: http://link.aip.org/link/JAPIAU/v87/i3/p965/s1 item WATSON, Ian M. Metal organic vapour phase epitaxy of AlN, GaN, InN and their alloys: A key chemical technology for advanced device applications. Coordination Chemistry Reviews: Chemistry and Applications of Metal Nitrides. 2013, roč. 257, 13-14, 21202141. Dostupné z: http://dx.doi.org/10.1016/j.ccr.2012.10.020 item SCHOLZ, F. Semipolar GaN grown on foreign substrates: a review. Semiconductor Science and Technology. 2012-02-08, vol. 27, issue 2, s. 024002-. DOI: 10.1088/0268-1242/27/2/024002. Dostupné z: http://stacks.iop.org/0268-1242/27/i=2/a=024002?key=crossref.78eeb9aae8392f2e8fdbf7a6bb66c634 item RESHCHIKOV, Michael A. a Hadis MORKOÇ. Luminescence properties of defects in GaN. Journal of Applied Physics. 2005, vol. 97, issue 6, s. 061301-. DOI: 10.1063/1.1868059. Dostupné z: http://link.aip.org/link/JAPIAU/v97/i6/p061301/s1 endarab
dc.rights	Vysokoškolská závěrečná práce je autorské dílo chráněné dle zákona č. 121/2000 Sb., autorský zákon, ve znění pozdějších předpisů. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou https://knihovna.tul.cz/document/26	cs
dc.rights	A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act. https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics https://knihovna.tul.cz/document/26	en
dc.rights.uri	https://knihovna.tul.cz/document/26
dc.rights.uri	https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf
dc.subject	scintilátory	cs
dc.subject	rychlost dosvitu	cs
dc.subject	InGaN/GaN kvantové jámy	cs
dc.subject	fotoluminiscence	cs
dc.subject	MOVPE	cs
dc.subject	scintillators	en
dc.subject	decay time	en
dc.subject	InGaN/GaN quantum wells	en
dc.subject	photoluminescence	en
dc.subject	MOVPE	en
dc.subject.verbis	photoluminiscence	en
dc.title	Studium scintilačních nano-heterostruktur na bázi GaN	cs
dc.title	Study of scintillation nano-heterostructures based on GaN	en
dc.title.alternative		cs
dc.type	diplomová práce	cs
local.degree.discipline	NA-N
local.degree.programme	Nanotechnologie
local.degree.programmeabbreviation	N3942
local.department.abbreviation	KCH
local.faculty	Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií	cs
local.faculty.abbreviation	FM
local.identifier.stag	30631
local.identifier.verbis	kpw06485525
local.note.administrators	automat
local.verbis.aktualizace	2019-10-05 07:28:44	cs
local.verbis.studijniprogram	KCH Nanotechnologie/Nanomateriály	cs

Studium scintilačních nano-heterostruktur na bázi GaN

Files

Original bundle

Collections