Cena Jiřího Zelenky

Permanent URI for this collection

https://dspace.tul.cz/handle/15240/153592

Browse

Browsing Cena Jiřího Zelenky by Author "Hulicius Eduard, prof. Ing. CSc. Skolitel : 58413"

Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Item
    Růst InGaN/GaN scintilačních heterostruktur
    (2014-8-1) Hubáček, Tomáš; ; Hulicius Eduard, prof. Ing. CSc. Skolitel : 58413
    Zařízení na bázi nitridových polovodičů jsou součástí našeho každodenního života. Rozšířená a používaná jsou například v modrých světlo emitujících diodách. Tato práce zkoumá novou možnost využití nitridových polovodičů, kterou je scintilační detektor. Detektor je tvořen heterostrukturami na bázi InGaN/GaN mnohonásobných kvantových jam a vyžaduje velice účinnou a rychlou luminiscenční odezvu bez pomalých defektních pásů v luminiscenčních spektrech. Pro růst těchto struktur jsme použili organokovovou epitaxi z plynné fáze. Pomocí různých růstových parametrů jsme zlepšili luminiscenční vlastnosti GaN podkladových vrstev, kde jsme potlačili pomalou defektní žlutou luminiscenci. Zvýšením počtu kvantových jam bylo dosaženo tloušťky InGaN/GaN heterostruktury téměř 1 ?m. Takto tlustá struktura je nezbytná pro účinný scintilační detektor, avšak vzhledem k této tloušťce jsme narazili na mnoho problémů, jakými jsou například zvýšení napětí ve struktuře nebo příliš velké povrchové defekty (nazývané V-pity). Diskuze těchto problémů je také součástí práce. Disertační práce klade důraz na epitaxní růst scintilačních struktur. Na základě poznatků získaných v průběhu zkoumání nitridových scintilačních heterostruktur se zdá, že naše navrhovaná struktura je vhodná jako scintilační detektor a mohla by být v blízké budoucnosti použita v některých komerčních aplikacích.