dc.contributor
dc.contributor.advisor
dc.contributor.author	Hubáček, Tomáš
dc.contributor.other	Hulicius Eduard, prof. Ing. CSc. Skolitel : 58413
dc.date.accessioned	2020-09-08T02:31:12Z
dc.date.available	2020-09-08T02:31:12Z
dc.date.committed	2018-7-31
dc.date.defense	2020-06-01
dc.date.submitted	2014-8-1
dc.date.updated	2020-6-10
dc.degree.level	Ph.D.
dc.description.abstract	Zařízení na bázi nitridových polovodičů jsou součástí našeho každodenního života. Rozšířená a používaná jsou například v modrých světlo emitujících diodách. Tato práce zkoumá novou možnost využití nitridových polovodičů, kterou je scintilační detektor. Detektor je tvořen heterostrukturami na bázi InGaN/GaN mnohonásobných kvantových jam a vyžaduje velice účinnou a rychlou luminiscenční odezvu bez pomalých defektních pásů v luminiscenčních spektrech. Pro růst těchto struktur jsme použili organokovovou epitaxi z plynné fáze. Pomocí různých růstových parametrů jsme zlepšili luminiscenční vlastnosti GaN podkladových vrstev, kde jsme potlačili pomalou defektní žlutou luminiscenci. Zvýšením počtu kvantových jam bylo dosaženo tloušťky InGaN/GaN heterostruktury téměř 1 ?m. Takto tlustá struktura je nezbytná pro účinný scintilační detektor, avšak vzhledem k této tloušťce jsme narazili na mnoho problémů, jakými jsou například zvýšení napětí ve struktuře nebo příliš velké povrchové defekty (nazývané V-pity). Diskuze těchto problémů je také součástí práce. Disertační práce klade důraz na epitaxní růst scintilačních struktur. Na základě poznatků získaných v průběhu zkoumání nitridových scintilačních heterostruktur se zdá, že naše navrhovaná struktura je vhodná jako scintilační detektor a mohla by být v blízké budoucnosti použita v některých komerčních aplikacích.	cs
dc.description.abstract	Devices based on nitride semiconductors are nowadays a part of our daily life. They are for example widely spread in blue light emitting diodes. This thesis is focused on a new application of nitride semiconductors which is a scintillation detector. This detector is based on InGaN/GaN multiple quantum well heterostructures and requires very efficient and fast luminescence response without any slow defect bands in luminescence spectra. In this thesis we have used Metal Organic Vapour Phase Epitaxy for the growth of these structures. We have improved a luminescence quality of GaN buffer layers by using different growth parameters and significantly suppressed slow yellow luminescence. By increasing QW number we have increased the thickness of InGaN/GaN heterostructures up to 1 ?m which is necessary for more efficient scintillation detectors. With such thick structures come a lot of problems, such as increase of the strain in the structure or too big surface defects (called V pits). These problems are discussed in this work as well. This thesis puts emphasis on the epitaxial growth of these structures. Based on the results obtained during this work, it seems that our proposed structure is suitable for scintillation detectors and it could be used in some commercial applications in the future.	en
dc.description.mark
dc.format	95s. (102 000 znaků)
dc.format.extent	Ilustrace, Schémata, Grafy, Tabulky žádné volně vložené přílohy
dc.identifier.signature	D 202000046
dc.identifier.uri	https://dspace.tul.cz/handle/15240/157586
dc.language.iso	an
dc.relation.isbasedon
dc.rights	Vysokoškolská závěrečná práce je autorské dílo chráněné dle zákona č. 121/2000 Sb., autorský zákon, ve znění pozdějších předpisů. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou https://knihovna.tul.cz/document/26	cs
dc.rights	A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act. https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics https://knihovna.tul.cz/document/26	en
dc.rights.uri	https://knihovna.tul.cz/document/26
dc.rights.uri	https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf
dc.subject	MOVPE	cs
dc.subject	InGaN/GaN heterostruktury	cs
dc.subject	scintilátor	cs
dc.subject	rychlý dosvit	cs
dc.subject	MOVPE	en
dc.subject	InGaN/GaN heterostructure	en
dc.subject	scintillator	en
dc.subject	fast decay	en
dc.title	Růst InGaN/GaN scintilačních heterostruktur	cs
dc.title	The growth of InGaN/GaN scintillation heterostructures	en
dc.type	disertační práce	cs
local.degree.abbreviation	Doktorský
local.degree.discipline	AVI-D
local.degree.programme	Aplikované vědy v inženýrství
local.degree.programmeabbreviation	P3901
local.department.abbreviation	ITE
local.faculty	Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií	cs
local.faculty.abbreviation	FM
local.identifier.author	M15000067
local.identifier.stag	40644
local.identifier.verbis
local.identifier.verbis	kpw06667415
local.note.administrators	automat
local.note.secrecy	Povoleno ZverejnitPraci Povoleno ZverejnitPosudky
local.poradovecislo	46

Růst InGaN/GaN scintilačních heterostruktur

Files

Original bundle

Collections