Růst InGaN/GaN scintilačních heterostruktur

DSpace Repository

Show simple item record

dc.contributor
dc.contributor.advisor
dc.contributor.author Hubáček, Tomáš
dc.contributor.other Hulicius Eduard, prof. Ing. CSc. Skolitel : 58413
dc.date.accessioned 2020-09-08T02:31:12Z
dc.date.available 2020-09-08T02:31:12Z
dc.date.submitted 2014-8-1
dc.identifier.uri https://dspace.tul.cz/handle/15240/157586
dc.description.abstract Zařízení na bázi nitridových polovodičů jsou součástí našeho každodenního života. Rozšířená a používaná jsou například v modrých světlo emitujících diodách. Tato práce zkoumá novou možnost využití nitridových polovodičů, kterou je scintilační detektor. Detektor je tvořen heterostrukturami na bázi InGaN/GaN mnohonásobných kvantových jam a vyžaduje velice účinnou a rychlou luminiscenční odezvu bez pomalých defektních pásů v luminiscenčních spektrech. Pro růst těchto struktur jsme použili organokovovou epitaxi z plynné fáze. Pomocí různých růstových parametrů jsme zlepšili luminiscenční vlastnosti GaN podkladových vrstev, kde jsme potlačili pomalou defektní žlutou luminiscenci. Zvýšením počtu kvantových jam bylo dosaženo tloušťky InGaN/GaN heterostruktury téměř 1 ?m. Takto tlustá struktura je nezbytná pro účinný scintilační detektor, avšak vzhledem k této tloušťce jsme narazili na mnoho problémů, jakými jsou například zvýšení napětí ve struktuře nebo příliš velké povrchové defekty (nazývané V-pity). Diskuze těchto problémů je také součástí práce. Disertační práce klade důraz na epitaxní růst scintilačních struktur. Na základě poznatků získaných v průběhu zkoumání nitridových scintilačních heterostruktur se zdá, že naše navrhovaná struktura je vhodná jako scintilační detektor a mohla by být v blízké budoucnosti použita v některých komerčních aplikacích. cs
dc.description.abstract Devices based on nitride semiconductors are nowadays a part of our daily life. They are for example widely spread in blue light emitting diodes. This thesis is focused on a new application of nitride semiconductors which is a scintillation detector. This detector is based on InGaN/GaN multiple quantum well heterostructures and requires very efficient and fast luminescence response without any slow defect bands in luminescence spectra. In this thesis we have used Metal Organic Vapour Phase Epitaxy for the growth of these structures. We have improved a luminescence quality of GaN buffer layers by using different growth parameters and significantly suppressed slow yellow luminescence. By increasing QW number we have increased the thickness of InGaN/GaN heterostructures up to 1 ?m which is necessary for more efficient scintillation detectors. With such thick structures come a lot of problems, such as increase of the strain in the structure or too big surface defects (called V pits). These problems are discussed in this work as well. This thesis puts emphasis on the epitaxial growth of these structures. Based on the results obtained during this work, it seems that our proposed structure is suitable for scintillation detectors and it could be used in some commercial applications in the future. en
dc.format 95s. (102 000 znaků)
dc.format.extent Ilustrace, Schémata, Grafy, Tabulky žádné volně vložené přílohy
dc.language.iso an
dc.relation.isbasedon
dc.rights Vysokoškolská závěrečná práce je autorské dílo chráněné dle zákona č. 121/2000 Sb., autorský zákon, ve znění pozdějších předpisů. Je možné pořizovat z něj na své náklady a pro svoji osobní potřebu výpisy, opisy a rozmnoženiny. Jeho využití musí být v souladu s autorským zákonem https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf a citační etikou https://knihovna.tul.cz/document/26 cs
dc.rights A university thesis is a work protected by the Copyright Act. Extracts, copies and transcripts of the thesis are allowed for personal use only and at one?s own expense. The use of thesis should be in compliance with the Copyright Act. https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf and the citation ethics https://knihovna.tul.cz/document/26 en
dc.rights.uri https://knihovna.tul.cz/document/26
dc.rights.uri https://www.mkcr.cz/assets/autorske-pravo/01-3982006.pdf
dc.subject MOVPE cs
dc.subject InGaN/GaN heterostruktury cs
dc.subject scintilátor cs
dc.subject rychlý dosvit cs
dc.subject MOVPE en
dc.subject InGaN/GaN heterostructure en
dc.subject scintillator en
dc.subject fast decay en
dc.title Růst InGaN/GaN scintilačních heterostruktur cs
dc.title The growth of InGaN/GaN scintillation heterostructures en
dc.type disertační práce cs
dc.date.updated 2020-6-10
dc.degree.level Ph.D.
dc.date.defense 2020-06-01
dc.date.committed 2018-7-31
local.faculty Fakulta mechatroniky, informatiky a mezioborových studií cs
local.department.abbreviation ITE
dc.identifier.signature D 202000046
local.identifier.stag 40644
local.degree.programme Aplikované vědy v inženýrství
local.degree.discipline AVI-D
local.faculty.abbreviation FM
dc.description.mark
local.degree.programmeabbreviation P3901
local.note.administrators automat
local.identifier.verbis
local.identifier.verbis kpw06667415
local.degree.abbreviation Doktorský
local.poradovecislo 46
local.identifier.author M15000067
local.note.secrecy Povoleno ZverejnitPraci Povoleno ZverejnitPosudky


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace

Advanced Search

Browse

My Account